TY  - JOUR

T1  - 1.55 mu m InAs quantum dots grown on a GaAs substrate using a GaAsSb metamorphic buffer layer

JO  - APPL PHYS LETT

PY  - 2008/03/17

AU  - Liu HY

AU  - Qiu Y

AU  - Jin CY

AU  - Walther T

AU  - Cullis AG

ED  - 

DO  - DOI: 10.1063/1.2898895

VL  - 92

IS  - 11

Y2  - 2024/12/20

ER  -