TY - JOUR
T1 - Molecular beam epitaxy growth of GaAsBi using As2 and As4
JO - Journal of Crystal Growth
PY - 2014/03/15
AU - Richards RD
AU - Bastiman F
AU - Hunter CJ
AU - Mendes DF
AU - Mohmad AR
AU - Roberts JS
AU - David JPR
ED -
DO - DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2013.12.008
PB - Elsevier BV
VL - 390
SP - 120
EP - 124
Y2 - 2025/01/03
ER -