TY  - JOUR

T1  - Avalanche multiplication characteristics of Al0.8Ga0.2As diodes

JO  - IEEE T ELECTRON DEV

UR  - http://eprints.whiterose.ac.uk/905/

PY  - 2001/10/01

AU  - Ng BK

AU  - David JPR

AU  - Plimmer SA

AU  - Rees GJ

AU  - Tozer RC

AU  - Hopkinson M

AU  - Hill G

ED  - 

VL  - 48

IS  - 10

SP  - 2198

EP  - 2204

Y2  - 2024/12/22

ER  -