TY  - JOUR

T1  - Design, growth, fabrication, and characterization of InAs/GaAs 1.3 mu m quantum dot broadband superluminescent light emitting diode

JO  - J APPL PHYS

PY  - 2006/11/15

AU  - Ray SK

AU  - Groom KM

AU  - Alexander R

AU  - Kennedy K

AU  - Liu HY

AU  - Hopkinson M

AU  - Hogg RA

ED  - 

DO  - DOI: 10.1063/1.2365387

VL  - 100

IS  - 10

Y2  - 2024/12/22

ER  -