TY  - CONF

T1  - XtreMOS™: The first integrated power transistor breaking the silicon limit

JO  - Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM

PY  - 2006/01/01

AU  - Moens P

AU  - Bauwens F

AU  - Baele J

AU  - Vershinin K

AU  - De Backer E

AU  - Narayanan EMS

AU  - Tack M

ED  - 

DO  - DOI: 10.1109/IEDM.2006.346933

SN  - 9781424404391

Y2  - 2024/12/20

ER  -