TY  - JOUR

T1  - Greatly improved performance of 340 nm light emitting diodes using a very thin GaN interlayer on a high temperature AlN buffer layer

JO  - APPL PHYS LETT

PY  - 2006/08/21

AU  - Wang T

AU  - Lee KB

AU  - Bai J

AU  - Parbrook PJ

AU  - Airey RJ

AU  - Wang Q

AU  - Hill G

AU  - Ranalli F

AU  - Cullis AG

ED  - 

DO  - DOI: 10.1063/1.2338784

VL  - 89

IS  - 8

Y2  - 2024/12/20

ER  -