TY  - JOUR

T1  - TEM analysis of Ge-on-Si MOSFET structures with HfO<inf>2</inf> dielectric for high performance PMOS device technology

JO  - Journal of Physics: Conference Series

PY  - 2010/01/01

AU  - Norris DJ

AU  - Walther T

AU  - Cullis AG

AU  - Myronov M

AU  - Dobbie A

AU  - Whall T

AU  - Parker EHC

AU  - Leadley DR

AU  - De Jaeger B

AU  - Lee W

AU  - Meuris M et al

ED  - 

DO  - DOI: 10.1088/1742-6596/209/1/012061

VL  - 209

Y2  - 2024/12/20

ER  -